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ZnO晶相位于晶粒体内，为低电阻率的半导体，对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂，有大量的导电电子存在，为n型半导体。富铋相，约在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，温度低于850℃参与形成焦绿石相，超过850℃后从焦绿石相中分离出来，生成含

Cr的富铋相，含有尖晶石相和Zn，随着温度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有稳定尖晶石相的作用，高温冷却时，可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成，850℃时达到峰值，约950℃时消失，

反应式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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电源线之间或电源线和大地之间的连接，作为压敏电阻器，有代表性的使用场合是在电源线及长距离传输的信号线遇到雷击而使导线存在浪涌脉冲等情况下对电子产品起保护作用。一般在线间接入压敏电阻器可对线间的感应脉冲有效，而在线与地间接入压敏电阻则对传输线和大地间的感应脉冲有效。若进一步将线间连接与线地连接两种形式组合起来，则可对浪涌脉冲有更好的吸收作用。

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